Samsung, dün yaptığı bir açıklamada daha fazla kapasite, hız ve güç verimliliği getirecek olan 60 nm bellek yongalarının toplu üretimine yakında başlayacağını söyledi. Samsung ilk 60 nm DDR2 bellek yongalarını geliştirdiğini ve yılın sonuna doğru üretime geçeceğini iddia etti. Bu 60 nm 800 MHz türü yongalar bugünün 80 nm’lik bellek birimlerine göre yaklaşık %20 daha hızlı ve kapasiteleri de 1 GB’dan 2 GB’a çıkarılmış. Bellek teknolojisinde saygın bir yere sahip olan şirket, bu yongaların üst seviyeli bellek pazarına hitap ettiklerini belirtti ve “yüksek kapasiteli belleklere olan eğilimi” arttıracaklarına işaret etti. 2 GB yongaların, toplamda 8 GB kapasitesi olan FB-DIMM’ler (Fully Buffered Dual Inline Memory Modules), 4 GB U-DIMM’ler (Unbuffered-DIMM) ve 4 GB SO-DIMM’ler(Small Outline-DIMM, dizüstü platformlar) için kullanılması bekleniyor. Güç tüketimi de yeni nesil yongalar sayesinde dikkate değer biçimde düşebilir. Samsung, 72 adet 1 GB yongadan oluşan bir 8 GB’lık bellek birimine karşı 36 X 2 GB’lık bir 60 nm çözümünün %30 daha az enerji harcayacağını söyledi.